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デバイス研磨機 (ULTRA TEC)

デバイス研磨装置ASP-1

<概要>
パッケージデバイスの開封、裏面研磨、、ウェハーの部分研磨、プレディキャップまで行える、サンプル研磨装置。パッケージの材質はプラスティック、セラミック、タイプはCMP、QFP、BGA等、あらゆるタイプのパッケージに対応。
スタックチップパッケージ1stチップへの開封、ウェハーの部分研磨等、容易かつ、短時間で研磨。研磨方式は、加工時にほとんど発熱しないSAP方式を採用シリコン、パッケージを傷めません。

<特徴>

  • すべてのチップサイズに対応します -パッケージ、ウェハーを問いません。
  • 1台で開封、研磨までこなします。加工範囲、深さは高精度にコントロールできます。
  • 各々の機能がわかりやすく使い易い。最高の加工結果が得られます。
  • セットアップ、加工共に短時間。
  • BGA、セラミックフリップチップ、パワーデバイス、MCM等のパッケージにも対応。パッケージでのチップの傾きにも加工中に対応できます。
  • ベンチトップタイプの超小型。加工音も静かです。
  • シリコン膜厚50ミクロン以下まで容易に研磨。
  • ウェハーの部分研磨も可能。

<サンプル研磨例 >

BGA パワーデバイス ウエハ部分研磨
BGA パワーデバイス ウェハーの部分研磨

デバイスギャップ装置ASAP-DECAP

<概要>

デキャップ専用の研磨装置
メカニカル研磨により、パッケージ開封。パッケージ開封時、内部のチップやワイヤーを傷めずに開封できます。

<特徴>

  • すべてのチップサイズに対応します。
  • 加工範囲、深さは高精度にコントロールできます。
  • 各々の機能がわかりやすく使い易い。最高の加工結果が得られます。
  • セットアップ、加工共に短時間。
  • BGA、セラミックフリップチップ、パワーデバイス、MCM等のパッケージにも対応。パッケージでのチップの傾きにも加工中に対応できます。
  • ベンチトップタイプの超小型。加工音も静かです。

<スタックチップ加工例 >

スタックチップの開封を短時間で 容易に行えます。  


開封したCSPパッケージ写真 (スタックチップ)

<デキャップ加工例 >


ASAP‐decapにて2分間研磨


さらに薬品を使って8秒間で開封


コーディング装置ARC-Lite

ARCLite<概要>

パッケージ、ウェハーを室温状態でARコーティングできます。
作業時間1分以下、簡単にコーティング

<特徴>

  • コーティング時間 45秒。
  • フォトン検出感度30%アップ。
  • 近赤外のコントラスト像60%アップ。
  • ベンチトップ。
  • すべてのパッケージタイプに対応。
  • エミッションマイクロスコープ、レーザーFIB等の、裏面解析装置に最適。

<ARコーティング例 >


コーティング前


ARコーティング後


平面研磨機MULTIPOL

MULTIPOL<概要>

半導体チップ、パッケージの平面、断面研磨可能なシステムです。ウルトラオートコリメーターを用いることで、チップ両端の研磨誤差をサブミクロンでおこなえます。

<特徴>

  • フラット研磨可能。
  • ベンチトップ。
  • ウルトラオートコリメーターによりサブミクロンの均一薄層加工。
  • チップ、パッケージの平面、断面研磨可能。
  • 多様なオプション。

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